ضغوط متزايدة تدفع سامسونج لتسريع تطوير ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6

تحدي صيني يدفع سامسونج نحو سباق التطوير

تواجه شركة سامسونج، العملاق الكوري الجنوبي في مجال الإلكترونيات، ضغوطاً متزايدة تدفعها نحو تسريع وتيرة تطوير الجيل القادم من شرائح ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) القائمة على معيار LPDDR6. يأتي هذا الضغط نتيجةً لتقدم شركة تشاينا إكستريم ميموري تكنولوجي (CXMT) الصينية، المنافسة القوية في سوق شرائح الذاكرة، والتي أعلنت مؤخراً عن نجاحها في تطوير شريحة LPDDR5X. هذا التطور يقلص الفارق الذي كانت تتمتع به سامسونج سابقاً في هذا المجال، مما يدفعها للرد سريعاً. وقد أشارت تقارير من مواقع متخصصة مثل "Phonearena"، نقلاً عن صحيفة "بيزنس بوست" الكورية، إلى أن CXMT تخطط بالفعل لإطلاق شرائح LPDDR6 خلال هذا العام، مع بدء الإنتاج الضخم مطلع العام المقبل.

استراتيجية سامسونج للرد على التحدي

في مواجهة هذا التحدي، قررت سامسونج تسريع تطوير شرائح LPDDR6 الخاصة بها، معتمدةً على تقنية تصنيع متقدمة للغاية تعرف بعملية "1c DRAM" من مصانع سامسونج (Samsung Foundry). تُعتبر عملية "1c" الجيل السادس من هذه التقنية، حيث تُمثل "1x" الجيل الأول. كل جيل جديد من هذه التقنية يُحقق تحسينات ملحوظة في الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة، مما يوفر ميزة تنافسية كبيرة.

شراكات استراتيجية وشريحة Snapdragon 8 Elite 2

تملك سامسونج بالفعل عميلاً رئيسياً لشرائح LPDDR6 الجديدة: شركة كوالكوم. فقد أشارت التقارير إلى أن كوالكوم ستدمج شرائح ذاكرة سامسونج الجديدة مع معالجها الرائد القادم، Snapdragon 8 Elite 2. هذا المعالج، الذي سيتم تصنيعه بواسطة شركة TSMC باستخدام تقنية 3 نانومتر من الجيل الثالث (N3P)، سيُشغّل هاتف سامسونج جالكسي S26 Ultra في جميع الأسواق العالمية مطلع العام المقبل. وتتطلع سامسونج إلى توسيع قاعدة عملائها من خلال هذه الشراكة الاستراتيجية، لتوفير شرائح LPDDR6 لشركات تصنيع الهواتف الذكية الأخرى.

تحليل سوق ذاكرة الوصول العشوائي العالمية

يُعتقد أن ضغط CXMT لعب دوراً أساسياً في دفع سامسونج لتسريع تطويرها. على الرغم من أن حصة CXMT في سوق ذاكرة الوصول العشوائي العالمية لا تتجاوز 5% حسب تقارير أواخر العام الماضي وأوائل هذا العام، إلا أن هذا التقدم السريع يُمثل تهديداً حقيقياً لسيطرة الشركات الكبرى. تُسيطر SK Hynix الكورية الجنوبية على السوق حالياً بحصة سوقية تصل إلى 36%، تليها سامسونج بحصة تتراوح بين 33.7% و 34.4%. أما شركة Micron Technology الأمريكية فتأتي في المركز الثالث بحصة تتراوح بين 24.3% و 25%.

تفاصيل تقنية شرائح LPDDR5X و LPDDR6

تجدر الإشارة إلى أن شرائح LPDDR5X التي استخدمتها سامسونج في هاتف Galaxy S25 Ultra، بنسختيها 12 غيغابايت و 16 غيغابايت، صُنعت باستخدام عقدة معالجة 12 نانومتر من Samsung Foundry. أما الإصدارات السابقة من LPDDR5X، مثل تلك المستخدمة في Galaxy S23 Ultra، فقد صُنعت باستخدام عقدة 14 نانومتر. هذا يدل على التقدم المستمر في تقنيات التصنيع لدى سامسونج، وهو تقدم ضروري لمواكبة التطورات المتسارعة في مجال شرائح الذاكرة. انتقال سامسونج إلى عملية "1c" في تصنيع LPDDR6 يُمثل قفزة نوعية في الكفاءة والأداء، مما يُعزز من موقعها التنافسي في السوق.

الاستنتاج: سباق محموم في عالم شرائح الذاكرة

يُظهر هذا التقرير مدى حدة المنافسة في سوق شرائح الذاكرة، وكيف أن التطورات التكنولوجية السريعة تُفرض على الشركات الكبرى ضرورة الابتكار المستمر. تُمثل سامسونج مثالاً واضحاً على ذلك، حيث تُظهر استجابتها السريعة لتحدي CXMT التزامها بالبقاء في طليعة هذا المجال التنافسي. مستقبل سوق شرائح الذاكرة يبدو واعداً، لكنّه في الوقت نفسه مليء بالتحديات، حيث يتوقع أن يشهد المزيد من الابتكارات والسباقات التكنولوجية بين الشركات العالمية الرائدة.